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电子元器件行业研究报告:民生证券-电子元器件行业:3DNAND存储器研发重大突破,加速产业化-170217

行业名称: 电子元器件行业 股票代码: 分享时间:2017-02-18 14:21:48
研报栏目: 行业分析 研报类型: (PDF) 研报作者: 郑平
研报出处: 民生证券 研报页数: 4 页 推荐评级: 推荐
研报大小: 463 KB 分享者: hg****1 我要报错
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【研究报告内容摘要】

        一、事件概述
        近期,根据中科院微电子所的官网消息,由长江存储和中科院微电子所三维存储器研发中心联合研发的32  层3D  NAND  Flash  芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,完成工艺器件和电路设计的整套技术验证。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
        二、分析与判断
        3D  NAND  Flash  存储器研发取得重要进展,为产业化打下坚实基础1、从技术角度看,3D  NAND  Flash  存储器产业化面临如下挑战:制造工艺开发(高深刻比刻蚀工艺等)、存储器件单元结构设计、存储器件单元集成、可靠性、NAND  阵列架构、存储芯片电路设计等。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)3D  NAND  Flash  的每个技术挑战都需要投入大量的研发力量去攻克。国内目前已完成工艺器件和电路设计的整套技术方案。
        2、我们认为,国内在3D  NAND  Flash  领域取得里程碑式进展,将为下一步的产业化铺平道路,有望缩小与国外同行的技术差距。
        3D  NAND  Flash  属于存储器领域的前沿技术,是存储器的最佳候选方案1、从技术分类看,存储器分为DRAM、NAND  Flash、NOR  flash。全球DRAM和NAND  Flash  总产值约为存储器总产值的95%。NAND  Flash  主要分为2DNAND  和3D  NAND,2D  NAND  Flash、DRAM  技术相对成熟,3D  NAND  Flash属于半导体存储器前沿领域。三星于2014  年率先在全球推出量产的32  层V-NAND  闪存,美光于2016  年推出32  层3D  NAND  闪存(全球第二家实现3DNAND闪存量产)。国内相对国外技术差距最小的存储器产品是3D  NAND  Flash。
        2、我们认为,3D  NAND  Flash  相比2D  NAND,在性能、容量、可靠性、成本方面拥有竞争优势,将成为存储器的主流技术。
        3D  NAND  FLash  存储器是国内存储器产业崛起的捷径
        1、存储器是半导体产业的核心器件,其全球产值约为800  亿美元,DRAM  市场约为450  亿美元,NAND  Flash  约为300  亿美元。2016  年,DRAM  大部分市场份额被三星、海力士、美光占据,三星、东芝/西数、美光、海力士垄断了NANDFlash  市场。中国是全球最大的电子产品生产基地和集散地,占据了全球存储器市场55%的市场份额。
        2、我们认为,由于国外竞争对手在DRAM  和2D  NAND  方面拥有大量折旧完的产能,并且DRAM  市场增长放缓,所以从技术成熟度、成本角度考虑,3D  NANDFlash  存储器是国内存储器产业快速发展的捷径。
        三、投资建议
        3D  NAND存储器研发取得重大突破,有望加速国内存储器产业发展,利好A股相关半导体存储器、材料以及设备标的。重点推荐:兆易创新、深科技、上海新阳、七星电子、太极实业。
        

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